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MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 200 A 40 V, 3 broches


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Product Image
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N° du produit:
     1295E-2144467
Fabricant:
     Infineon
N°. du fabricant:
     IRL1404ZSTRLPBF
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor à effet de champ
Transistors à effet de champ
MOSFET de puissance
Transistor de puissance
Cette Infineon utilise les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Les caractéristiques supplémentaires de cette conception sont une température dutilisation de jonction de 175 °C, une vitesse de commutation rapide et une meilleure puissance nominale à avalanche répétitive.Il est sans plomb
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
200 A
Tension Drain Source maximum:
40 V
Type de boîtier:
D2PAK (TO-263)
Série:
HEXFET
Type de montage:
CMS
Nombre de broches:
3
Résistance Drain Source maximum:
0,0059 Ω
Tension de seuil maximale de la grille:
2.7V
Nombre d'éléments par circuit:
1
Autres mots de recherche: Transistors de puissance, MOSFET, Transistor CMS, Transistors CMS, Transistor SMD, Transistors SMD, Transistors, Transistor, transistor à effet de champ, 2144467, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Infineon, IRL1404ZSTRLPBF
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1
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à partir de € 1,10*
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2 jours
936
1
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à partir de € 1,16*
€ 2,60*
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Expédition: Entrepôt 1295
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Franco à domicile
Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 1295
Période:Dans les 15 jours
État de l'emballage:Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:Non utilisé
Frais de retour:A la charge du client
Frais de traitement:aucune
Le délai de garantie légal stipulé dans les CGV conserve sa validité indépendamment des droits de retour indiqués.
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