Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-2152589 N°. du fabricant:
IRF8910TRPBF EAN/GTIN:
Pas d'information |
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| Le transistor MOSFET de puissance Infineon HEXFET est doté dune tension de source de drain maximale de 20 V dans un boîtier SO-8. Il est doté dune application en tant que double transistor MOSFET SO-8 pour les convertisseurs POL dans les ordinateurs de bureau, les serveurs, les cartes graphiques, les consoles de jeux et les boîtiers décodeurs.Sans plomb Faible RDS(on) Impédance de grille ultra faible Transistor MOSFET à double canal N Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 10 A | Tension Drain Source maximum: | 20 V | Type de boîtier: | SO-8 | Série: | HEXFET | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 8 | Résistance Drain Source maximum: | 0,0134 Ω | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 2.55V | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Matériau du transistor: | Si |
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