Mémoire FRAM, FM24C04B-GTR, 4Kbit, 512 x 8, I2C, SOIC, 8 broches, 5,5 V

Le Cypress Semiconductor FM24C04B est une mémoire non volatile de 4 kbits utilisant un processus ferromélectrique Advanced. Une mémoire vive ferroélectrique ou F-RAM est non volatile et exécute des lectures et des écritures similaires à une RAM. Il fournit une rétention de données fiable pendant 151 ans tout en éliminant les complexités, les surcharges et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par lEEPROM et dautres mémoires non volatiles.La mémoire vive ferro-électrique (F-RAM) de 4 kbits est organisée de manière logique en 512 x 8 Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014) Conservation des données de 151 ans NODELAY ® écrit Processus ferromélectrique Advanced haute