Informations sur les produits | ![](/p.gif) |
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| N° du produit: 1295E-2183033 N°. du fabricant: IPB120N06S4H1ATMA2 EAN/GTIN: Pas d'information |
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![](/p.gif) | Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 120 A Tension Drain Source maximum = 60 V Série = OptiMOS™-T2 Type de montage = Traversant Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 0,002 Ω Mode de canal = Enrichissement Tension de seuil maximale de la grille = 4V Matériau du transistor = Si Plus d'informations: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 120 A | Tension Drain Source maximum: | 60 V | Type de boîtier: | D2PAK (TO-263) | Série: | OptiMOS™ -T2 | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 0,002 Ω | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 4V | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Matériau du transistor: | Si |
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![](/p.gif) | Autres mots de recherche: 2183033, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Infineon, IPB120N06S4H1ATMA2 |
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