Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-2282813 N°. du fabricant:
Si2387DS-T1-GE3 EAN/GTIN:
Pas d'information |
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| Type de canal = P
Courant continu de Drain maximum = 3 A
Tension Drain Source maximum = 80 V
Série = TrenchFET
Type de montage = CMS
Nombre de broches = 3
Résistance Drain Source maximum = 11 Ω
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 2.5V
Nombre d'éléments par circuit = 2 Plus d'informations: | | Type de canal: | P | Courant continu de Drain maximum: | 3 A | Tension Drain Source maximum: | 80 V | Type de boîtier: | SOT-23 | Série: | TrenchFET | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 11 Ω | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 2.5V | Nombre d'éléments par circuit: | 2 | Matériau du transistor: | Si |
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| Autres mots de recherche: 2282813, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Vishay, Si2387DST1GE3 |
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