SDRAM, AS4C32M16SB-7TIN, 512Mbit, 200MHz, 3 à 3,6 V, TSOP 54 broches DDR

La mémoire SDRAM Alliance Memory de 512 Mo est une DRAM synchrone CMOS haut débit contenant 512 Mbits. Il est configuré en interne sous la forme de 4 blocs de 8 m de DRAM x 16 avec une interface synchrone (tous les signaux sont enregistrés sur le bord positif du signal dhorloge, CLK). Les accès en lecture et en écriture à la SDRAM sont orientés vers la rafale Accès au démarrage à un emplacement sélectionné et poursuite pour un nombre programmé demplacements dans une séquence programmée. Les accès commencent par lenregistrement dune commande Bank Activate qui est ensuite suivie dune commande Read ou Write.Actualisation automatique et actualisation automatique 8192 cycles de rafraîchissement/64 ms Mode de mise hors tension CKE Alimentation simple +3,3 V ±0,3 V.