Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-2320400 N°. du fabricant:
IMZA65R027M1HXKSA1 EAN/GTIN:
Pas d'information |
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| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 59 A
Tension Drain Source maximum = 650 V
Série = CoolSiC
Type de montage = Traversant
Nombre de broches = 4
Résistance Drain Source maximum = 0,034 Ω
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 5.7V
Nombre d'éléments par circuit = 1 Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 59 A | Tension Drain Source maximum: | 650 V | Type de boîtier: | TO247-4 | Série: | CoolSiC | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 4 | Résistance Drain Source maximum: | 0,034 Ω | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 5.7V | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Matériau du transistor: | Silicium |
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| Autres mots de recherche: 2320400, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Infineon, IMZA65R027M1HXKSA1 |
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