Informations sur les produits |  |
 |
| N° du produit: 1295E-2799911 N°. du fabricant: SIHG155N60EF-GE3 EAN/GTIN: Pas d'information |
| |
|
|  |  |
 | Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 21 A Tension Drain Source maximum = 600 V Type de boîtier = TO-247AC Type de montage = Traversant Nombre de broches = 3 Mode de canal = Enrichissement Nombre d'éléments par circuit = 1 Plus d'informations:  |  | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 21 A | Tension Drain Source maximum: | 600 V | Type de boîtier: | TO-247AC | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Mode de canal: | Enrichissement | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Matériau du transistor: | Silicium |
|
|  |  |
 | |  |  |
 | Autres mots de recherche: 2799911, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Vishay, SIHG155N60EFGE3 |
|  |  |
| |