Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-2799980 N°. du fabricant:
SISH103DN-T1-GE3 EAN/GTIN:
Pas d'information |
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| Type de canal = P
Courant continu de Drain maximum = 54 A
Tension Drain Source maximum = 30 V
Type de boîtier = 1212-8
Type de montage = CMS
Nombre de broches = 8
Mode de canal = Enrichissement
Matériau du transistor = Silicium Plus d'informations: | | Type de canal: | P | Courant continu de Drain maximum: | 54 A | Tension Drain Source maximum: | 30 V | Type de boîtier: | 1212-8 | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 8 | Mode de canal: | Enrichissement | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Matériau du transistor: | Silicium |
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| Autres mots de recherche: 2799980, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Vishay, SISH103DNT1GE3 |
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