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MOSFET ON Semiconductor canal N, TO-220AB 12 A 100 V, 3 broches

Quantité:

Pièce

Informations sur les produits

N° du produit:
1295E-295703

Fabricant:
onsemi

N°. du fabricant:
RFP12N10L

EAN/GTIN:
5059042834383

Mots de recherche:

Transistor à effet de champ
Transistors à effet de champ
Transistor de puissance
Transistors de puissance

Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor. Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.

Plus d'informations:


Type de canal:	N
Courant continu de Drain maximum:	12 A
Tension Drain Source maximum:	100 V
Type de boîtier:	TO-220AB
Type de montage:	Traversant
Nombre de broches:	3
Résistance Drain Source maximum:	200 mΩ
Mode de canal:	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille:	1V
Dissipation de puissance maximum:	60 W
Configuration du transistor:	Simple
Tension Grille Source maximum:	-10 V, +10 V
Longueur:	10.67mm
Température d'utilisation maximum:	+150 °C
Nombre d'éléments par circuit:	1

... > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Autres mots de recherche: MOSFET, Transistors, Transistor, mosfet 100v, transistor à effet de champ, 295703, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, RFP12N10L

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à partir de 10 Pièces	€ 1,32*	€ 1,584	par Pièce
à partir de 25 Pièces	€ 1,255*	€ 1,506	par Pièce
à partir de 50 Pièces	€ 0,993*	€ 1,192	par Pièce
à partir de 100 Pièces	€ 0,973*	€ 1,168	par Pièce
à partir de 500 Pièces	€ 0,893*	€ 1,072	par Pièce
à partir de 1000 Pièces	€ 0,863*	€ 1,036	par Pièce
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Période:	Dans les 15 jours
État de l'emballage:	Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:	Non utilisé
Frais de retour:	A la charge du client
Frais de traitement:	aucune
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