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MOSFET onsemi canal N, DPAK (TO-252) 14 A 50 V, 3 broches


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-3257619
Fabricant:
     onsemi
N°. du fabricant:
     RFD14N05LSM
EAN/GTIN:
     5059042635133
Mots de recherche:
Transistor à effet de champ
Transistors à effet de champ
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor. Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
14 A
Tension Drain Source maximum:
50 V
Type de boîtier:
DPAK (TO-252)
Type de montage:
CMS
Nombre de broches:
3
Résistance Drain Source maximum:
100 mΩ
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille:
1V
Dissipation de puissance maximum:
48 W
Configuration du transistor:
Simple
Tension Grille Source maximum:
-10 V, +10 V
Longueur:
6.73mm
Température d'utilisation maximum:
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit:
1
Autres mots de recherche: MOSFET, transistor à effet de champ, 3257619, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, RFD14N05LSM
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