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MOSFET Infineon canal P, DPAK (TO-252) 8,8 A 60 V, 3 broches


Quantité:  Boîte  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-4623247
Fabricant:
     Infineon
N°. du fabricant:
     SPD08P06P
EAN/GTIN:
     5059043734941
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
mosfet 60v
Transistors MOSFET canal P Infineon SIPMOS®. Le transistor MOSFET canal P de petit signal Infineon SIPMOS ;sup>® ;/sup> présente plusieurs caractéristiques qui peuvent inclure le mode d'enrichissement, le courant continu débité pouvant être aussi faible que -80 A, ainsi qu'une large plage de températures d'utilisation. Le transistor de puissance SIPMOS peut être utilisé dans une grande variété d'applications, notamment les télécommunications, eMobility, les ordinateurs PC portables, les circuits c.c./c.c., ainsi que l'industrie automobile.. · Conforme AEC Q101 (veuillez vous référer à la fiche technique) · Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
Plus d'informations:
Type de canal:
P
Courant continu de Drain maximum:
8,8 A
Tension Drain Source maximum:
60 V
Type de boîtier:
DPAK (TO-252)
Série:
SIPMOS®
Type de montage:
CMS
Nombre de broches:
3
Résistance Drain Source maximum:
300 mΩ
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille:
4V
Tension de seuil minimale de la grille:
2.1V
Dissipation de puissance maximum:
42 W
Configuration du transistor:
Simple
Tension Grille Source maximum:
-20 V, +20 V
Longueur:
6.5mm
Autres mots de recherche: transistors de puissance, 4623247, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Infineon, SPD08P06P
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