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MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 18 A 200 V, 3 broches

Quantité:

Pièce

Informations sur les produits

N° du produit:
1295E-5410014

Fabricant:
Infineon

N°. du fabricant:
IRF640NPBF

EAN/GTIN:
5059043899558

Mots de recherche:

Transistor à effet de champ
Transistors à effet de champ
MOSFET de puissance
Transistor de puissance

Transistor MOSFET de puissance à canal N 150 à 600 V, Infineon. La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.

Plus d'informations:


Type de canal:	N
Courant continu de Drain maximum:	18 A
Tension Drain Source maximum:	200 V
Type de boîtier:	TO-220AB
Série:	HEXFET
Type de montage:	Traversant
Nombre de broches:	3
Résistance Drain Source maximum:	150 mΩ
Mode de canal:	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille:	4V
Tension de seuil minimale de la grille:	2V
Dissipation de puissance maximum:	150 W
Configuration du transistor:	Simple
Tension Grille Source maximum:	-20 V, +20 V
Température d'utilisation maximum:	+175 °C

... > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Autres mots de recherche: Transistors de puissance, MOSFET, Transistors, Transistor, mosfet 200v, transistor à effet de champ, 5410014, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Infineon, IRF640NPBF

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Période:	Dans les 15 jours
État de l'emballage:	Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:	Non utilisé
Frais de retour:	A la charge du client
Frais de traitement:	aucune
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