MOSFET Vishay canal N, HVMDIP 2,5 A 60 V, 4 broches

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Informations sur les produits

N° du produit:
1295E-5410632

Fabricant:
Vishay

N°. du fabricant:
IRLD024PBF

EAN/GTIN:
5059040908109

Mots de recherche:

Transistor MOSFET canal N, de 60 à 90 V, Vishay Semiconductor

Plus d'informations:


Type de canal:	N
Courant continu de Drain maximum:	2,5 A
Tension Drain Source maximum:	60 V
Type de boîtier:	HVMDIP
Type de montage:	Traversant
Nombre de broches:	4
Résistance Drain Source maximum:	100 mΩ
Mode de canal:	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille:	1V
Dissipation de puissance maximum:	1,3 W
Configuration du transistor:	Simple
Tension Grille Source maximum:	-10 V, +10 V
Longueur:	5mm
Température d'utilisation maximum:	+175 °C
Nombre d'éléments par circuit:	1

Autres mots de recherche: Transistors de puissance, MOSFET, Transistors, Transistor, transistor à effet de champ, 5410632, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Vishay, IRLD024PBF

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Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 1295

Période:	Dans les 15 jours
État de l'emballage:	Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:	Non utilisé
Frais de retour:	A la charge du client
Frais de traitement:	aucune
Le délai de garantie légal stipulé dans les CGV conserve sa validité indépendamment des droits de retour indiqués.