IGBT, GT30J322(Q), , 30 A, 600 V, TO-3PNIS, 3 broches, Simple

Quantité:

Pièce

Informations sur les produits

N° du produit:
1295E-6012807

Fabricant:
Toshiba

N°. du fabricant:
GT30J322(Q)

EAN/GTIN:
5059041944939

Mots de recherche:

IGBT Discretes Toshiba

Plus d'informations:


Courant continu de Collecteur maximum:	30 A
Tension Collecteur Emetteur maximum:	600 V
Tension Grille Emetteur maximum:	±20V
Type de boîtier:	TO-3PNIS
Type de montage:	Traversant
Type de canal:	N
Nombre de broches:	3
Configuration du transistor:	Simple
Dimensions:	15.8 x 5 x 21mm
Température d'utilisation maximum:	+150 °C

Autres mots de recherche: 6012807, Semi-conducteurs, Composants discrets, IGBT, Toshiba, GT30J322(Q)

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