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Diode CMS Vishay, 1A, 50V, DO-214AC (SMA)


Quantité:  Pièces  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-6292312
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     ES1A-E3/5AT
EAN/GTIN:
     5059040906815
Mots de recherche:
Diodes
Diode
Diode à récupération rapide
Diode de récupération rapide
Diode de jonction au silicium de Vishay, ES1A, ES1B, ES1C, ES1D. CARACTERISTIQUES Boîtier bas profil Idéal pour le positionnement automatisé Jonction de puce à pastilles passivées en verre Temps de récupération ultrarapides pour un haut rendement Faible tension directe, faibles pertes de puissance Capacité de surtension élevée Conforme à MSL niveau 1, conformément à J-STD-020, LF maximum Peak De 260 °C. Certifié AEC-Q101 disponible - Code de commande automobile : P/NHE3 ou P/NHM3 Applications typiques Pour une utilisation dans le redressement haute fréquence et la roue libre Application dans les convertisseurs de mode de commutation et les inverseurs pour Grand public, informatique, automobile et télécommunications. Données MECANIQUES Boîtier : SMA (DO-214AC) La pâte de moulage est conforme à la norme d'inflammabilité UL 94 V-0 Base P/N-E3 - conforme à la directive RoHS, classe commerciale Base P/N-M3 - sans halogène, conforme à la directive RoHS, commerciale Classe Base P/NHE3_X - conforme à la directive RoHS et certifié AEC-Q101 Base P/NHM3_X - sans halogène, conforme à la directive RoHS, et Certifié AEC-Q101 ("_X" indique le code de révision, par exemple A, B, .) Bornes : cordons étamés mat, soudables par J-STD-002 et JESD 22-B102 Le suffixe E3, M3, HE3 et HM3 est conforme à la norme JESD 201 classe 2 Test de chuchotement Polarité : la bande de couleur indique l'extrémité de la cathode
Plus d'informations:
Type de montage:
CMS
Type de boîtier:
DO-214AC (SMA)
Courant direct continu maximum:
1A
Tension inverse de crête répétitive:
50V
Configuration de diode:
Simple
Type de redressement:
Usage général
Type diode:
Redresseurs ultrarapides
Nombre de broches:
2
Chute minimale de tension directe:
920mV
Nombre d'éléments par circuit:
1
Technologie de diode:
Jonction au silicium
Temps de recouvrement inverse crête:
25ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête:
30A
Autres mots de recherche: Diodes à récupération rapide, Diodes de récupération rapide, Redresseurs, Redresseur, Diode redresseuse, Diodes redresseuses, Diode CMS, Diodes CMS, Diode SMD, Diodes SMD, Diode de commutation, Diodes de commutation, diode smd, 6292312, Semi-conducteurs, Composants discrets, Diodes Schottky et de redressements, Vishay, ES1AE35AT
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