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MOSFET onsemi canal N, D2PAK (TO-263) 11 A 600 V, 3 broches


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-6710337
Fabricant:
     onsemi
N°. du fabricant:
     FCB11N60TM
EAN/GTIN:
     5059042847505
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Transistor MOSFET à canal N SuperFET® et SuperFET® II, Fairchild Semiconductor. Fairchild a ajouté la famille de transistors de puissance MOSFET haute tension SuperFET® II grâce à la technologie Super Junction. Elle offre les meilleures performances en matière de diode à corps robuste dans les applications d'alimentations à découpage c.a.-c.c. telles que les serveurs, les télécommunications, l'informatique, les alimentations industrielles, les alimentations dans interruption, les signaux et signalisations électroniques, les convertisseurs solaires, les applications d'éclairage qui exigent forte densité de puissance, rendement système et fiabilité. En utilisant une technologie d'équilibrage de charge avancée, les concepteurs obtiennent des solutions plus efficaces, rentables et performantes qui prennent moins de place sur le circuit et améliorent la fiabilité.
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
11 A
Tension Drain Source maximum:
600 V
Type de boîtier:
D2PAK (TO-263)
Série:
SuperFET
Type de montage:
CMS
Nombre de broches:
3
Résistance Drain Source maximum:
380 mΩ
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille:
3V
Dissipation de puissance maximum:
125 W
Configuration du transistor:
Simple
Tension Grille Source maximum:
-30 V, +30 V
Longueur:
10.67mm
Température d'utilisation maximum:
+150 °C
Autres mots de recherche: 6710337, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, FCB11N60TM
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