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MOSFET onsemi canal P, D2PAK (TO-263) 11,5 A 200 V, 3 broches


Quantité:  Boîte  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-6710860
Fabricant:
     onsemi
N°. du fabricant:
     FQB12P20TM
EAN/GTIN:
     5059042846157
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
mosfet 200v
MOSFET à canal P à mode d'enrichissement, on Semiconductor. La gamme de transistors MOSFET à canal P d'ON Semiconductors est produite à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité de cellules d'ON Semi. Ce processus à très haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant afin de fournir des performances robustes et fiables pour une commutation rapide. Caractéristiques et avantages :. Commutateur de petit signal à canal P contrôlé par tension Conception de cellule haute densité Courant de saturation élevé commutation supérieure Excellentes performances robustes et fiables Technologie DMOS. Applications :. Commutation de charge Convertisseur c.c./c.c. Protection de batterie Commande de gestion de l'alimentation Commande de moteur c.c.
Plus d'informations:
Type de canal:
P
Courant continu de Drain maximum:
11,5 A
Tension Drain Source maximum:
200 V
Type de boîtier:
D2PAK (TO-263)
Type de montage:
CMS
Nombre de broches:
3
Résistance Drain Source maximum:
470 mΩ
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille:
3V
Dissipation de puissance maximum:
3,13 W
Configuration du transistor:
Simple
Tension Grille Source maximum:
-30 V, +30 V
Longueur:
10.67mm
Température d'utilisation maximum:
+150 °C
Nombre d'éléments par circuit:
1
Autres mots de recherche: transistors de puissance, 6710860, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, FQB12P20TM
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FK 244 08 D2 PAK
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