Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-6711100 N°. du fabricant:
NDT452AP EAN/GTIN:
5059042843507 |
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| MOSFET à canal P à mode d'enrichissement, on Semiconductor. La gamme de transistors MOSFET à canal P d'ON Semiconductors est produite à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité de cellules d'ON Semi. Ce processus à très haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant afin de fournir des performances robustes et fiables pour une commutation rapide. Caractéristiques et avantages :. Commutateur de petit signal à canal P contrôlé par tension Conception de cellule haute densité Courant de saturation élevé commutation supérieure Excellentes performances robustes et fiables Technologie DMOS. Applications :. Commutation de charge Convertisseur c.c./c.c. Protection de batterie Commande de gestion de l'alimentation Commande de moteur c.c. Plus d'informations: | | Type de canal: | P | Courant continu de Drain maximum: | 5 A | Tension Drain Source maximum: | 30 V | Type de boîtier: | SOT-223 | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 65 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil minimale de la grille: | 1V | Dissipation de puissance maximum: | 3 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -20 V, +20 V | Longueur: | 6.5mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C | Nombre d'éléments par circuit: | 1 |
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| Autres mots de recherche: 6711100, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, NDT452AP |
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