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MOSFET onsemi canal P, TO-220AB 11,5 A 200 V, 3 broches


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-6715010
Fabricant:
     onsemi
N°. du fabricant:
     FQP12P20
EAN/GTIN:
     5059042845945
Mots de recherche:
Transistor à effet de champ
Transistors à effet de champ
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistor MOSFET à canal P QFET®, Fairchild Semiconductor. Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement. Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.
Plus d'informations:
Type de canal:
P
Courant continu de Drain maximum:
11,5 A
Tension Drain Source maximum:
200 V
Type de boîtier:
TO-220AB
Série:
QFET
Type de montage:
Traversant
Nombre de broches:
3
Résistance Drain Source maximum:
470 mΩ
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille:
3V
Dissipation de puissance maximum:
120 W
Configuration du transistor:
Simple
Tension Grille Source maximum:
-30 V, +30 V
Longueur:
10.1mm
Température d'utilisation maximum:
+150 °C
Autres mots de recherche: MOSFET, mosfet 200v, transistor à effet de champ, 6715010, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, FQP12P20
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Période:Dans les 15 jours
État de l'emballage:Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:Non utilisé
Frais de retour:A la charge du client
Frais de traitement:aucune
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Type
Image
Produit
Fabricant/N°.
Prix HT
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à partir de € 3,01*
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