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MOSFET onsemi canal N, TO-220AB 30 A 60 V, 3 broches


Quantité:  Boîte  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-6715082
Fabricant:
     onsemi
N°. du fabricant:
     FQP30N06
EAN/GTIN:
     5059042846898
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
mosfet 60v
Transistor MOSFET à canal N QFET®, de 11 → 30 A, Fairchild Semiconductor. Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement. Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
30 A
Tension Drain Source maximum:
60 V
Type de boîtier:
TO-220AB
Série:
QFET
Type de montage:
Traversant
Nombre de broches:
3
Résistance Drain Source maximum:
40 mΩ
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille:
2V
Dissipation de puissance maximum:
79 W
Configuration du transistor:
Simple
Tension Grille Source maximum:
-25 V, +25 V
Longueur:
10.1mm
Température d'utilisation maximum:
+175 °C
Autres mots de recherche: transistors de puissance, 6715082, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, FQP30N06
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€ 2,77*
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Produit
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