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Diode traversante Taiwan Semiconductor, 1A, 1000V, DO-41


Quantité:  Boîte  
Informations sur les produits
Product Image
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N° du produit:
     1295E-6881928
Fabricant:
     Taiwan Semiconductor
N°. du fabricant:
     HER108G
EAN/GTIN:
     5059045584186
Mots de recherche:
Diodes
Diode
Diodes de redressement, 1 A, Taiwan Semiconductor
Plus d'informations:
Type de montage:
Traversant
Type de boîtier:
DO-41
Courant direct continu maximum:
1A
Tension inverse de crête répétitive:
1000V
Configuration de diode:
Simple
Type de redressement:
Commutation
Type diode:
Redresseur
Nombre de broches:
2
Chute minimale de tension directe:
1.7V
Nombre d'éléments par circuit:
1
Technologie de diode:
Jonction au silicium
Temps de recouvrement inverse crête:
75ns
Diamètre:
2.7mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête:
30A
Autres mots de recherche: 6881928, Semi-conducteurs, Composants discrets, Diodes Schottky et de redressements, Taiwan Semiconductor, HER108G
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à partir de 5 Boîtes
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à partir de 10 Boîtes
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Schurter
0034.6615
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