Informations sur les produits |  |
| |
| N° du produit:
1295E-7390167 N°. du fabricant:
NDS355AN EAN/GTIN:
5059042774191 |
| |
|
| | |
| Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor. Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide. Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 1.7 A | Tension Drain Source maximum: | 30 V | Type de boîtier: | SOT-23 | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 230 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil minimale de la grille: | 1V | Dissipation de puissance maximum: | 500 mW | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -20 V, +20 V | Longueur: | 2.92mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C | Nombre d'éléments par circuit: | 1 |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |