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MOSFET onsemi canal N/P, SOT-363 220 mA, 410 mA 25 V, 6 broches


Quantité:  Pièces  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-7390183
Fabricant:
     onsemi
N°. du fabricant:
     FDG6322C
EAN/GTIN:
     5059042707953
Mots de recherche:
Transistor à effet de champ
Transistors à effet de champ
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistor MOSFET à double canal P, mode amélioré, Fairchild Semiconductor. Les transistors à effet de champ en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus très haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.
Plus d'informations:
Type de canal:
N, P
Courant continu de Drain maximum:
220 mA, 410 mA
Tension Drain Source maximum:
25 V
Type de boîtier:
SOT-363
Type de montage:
CMS
Nombre de broches:
6
Résistance Drain Source maximum:
1,9 Ω, 7 Ω
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille:
0.65V
Dissipation de puissance maximum:
300 mW
Configuration du transistor:
Isolé
Tension Grille Source maximum:
-8 V, +8 V
Longueur:
2mm
Température d'utilisation maximum:
+150 °C
Nombre d'éléments par circuit:
2
Autres mots de recherche: MOSFET, Transistor CMS, Transistors CMS, Transistor SMD, Transistors SMD, Transistors, Transistor, transistor à effet de champ, 7390183, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, FDG6322C
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Prix: Entrepôt 1295
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€ 0,1301*
€ 0,1561
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€ 0,1162*
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Quantité de commande minimale: 5 Pièces ( € 0,7345* hors TVA )
État du stock: Entrepôt 1295
Expédition: Entrepôt 1295
Montant de la commande
Expédition
à partir de € 0,00*
Franco à domicile
Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 1295
Période:Dans les 15 jours
État de l'emballage:Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:Non utilisé
Frais de retour:A la charge du client
Frais de traitement:aucune
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Produit
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Roth Elektronik
RE906
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