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MOSFET, Canal-N, 12 A 600 V A-220, 3 broches


Quantité:  Pièces  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-759-9175
Fabricant:
     ON Semiconductor
N°. du fabricant:
     FDP12N60NZ
EAN/GTIN:
     5059042483802
Mots de recherche:
Correction de facteur de puissance
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 12 A
Tension Drain Source maximum = 600 V
Type de boîtier = TO-220
Type de montage = Traversant
Nombre de broche = 3
Résistance Drain Source maximum = 650 mΩ
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille = 3V
Dissipation de puissance maximum = 240 W
Configuration du transistor = Simple
Tension Grille Source maximum = -30 V, +30 V
Nombre d'éléments par circuit = 1
Température d'utilisation maximum = +150 °C

Transistor MOSFET à canal N UniFET™, Fairchild Semiconductor. UniFET™ MOSFET est la famille de transistors MOSFET haute tension de Fairchild Semiconductor. Elle possède la plus petite résistance à l'état passant parmi les transistors MOSFET planaires, et offre également d'excellentes performances de commutation et une plus grande résistance à l'énergie d'avalanche. En outre, la diode PESD source de matrice interne permet au transistor MOSFET UniFET-II™ de résister à des surtensions Modèle du corps humain de plus de 2 000 V. Les transistors MOSFET UniFET™ sont adaptés aux applications de convertisseurs d'alimentation à découpage, telles que la correction de facteur de puissance, l'alimentation de téléviseurs à écrans plats, les alimentations ATX (Advanced Technology eXtended) et les ballasts de lampes électroniques.
Autres mots de recherche: correction de facteur de puissance, 7599175, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, ON Semiconductor, FDP12N60NZ
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