Informations sur les produits |  |
| |
| N° du produit:
1295E-7800611 N°. du fabricant:
NTJD4152PT1G EAN/GTIN:
5059042252569 |
| |
|
| | |
| Transistor MOSFET à double canal P, ON Semiconductor Plus d'informations: | | Type de canal: | P | Courant continu de Drain maximum: | 880 mA | Tension Drain Source maximum: | 20 V | Type de boîtier: | SOT-363 | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 6 | Résistance Drain Source maximum: | 1 Ω | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 1.2V | Dissipation de puissance maximum: | 350 mW | Configuration du transistor: | Isolé | Tension Grille Source maximum: | -12 V, +12 V | Longueur: | 2.2mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C | Nombre d'éléments par circuit: | 2 |
|
| | |
| | | |
| Autres mots de recherche: transistors de puissance, 7800611, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, NTJD4152PT1G |
| | |
| |