Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-7879052 N°. du fabricant:
SI4925DDY-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040673342 |
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| Transistor MOSFET à double canal P, Vishay Semiconductors Plus d'informations: | | Type de canal: | P | Courant continu de Drain maximum: | 8 A | Tension Drain Source maximum: | 30 V | Type de boîtier: | SOIC | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 8 | Résistance Drain Source maximum: | 41 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil minimale de la grille: | 1V | Dissipation de puissance maximum: | 5 W | Configuration du transistor: | Isolé | Tension Grille Source maximum: | -20 V, +20 V | Longueur: | 5mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C | Nombre d'éléments par circuit: | 2 |
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| Autres mots de recherche: 7879052, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Vishay, SI4925DDYT1GE3 |
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