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MOSFET onsemi canal N, DPAK (TO-252) 18 A 60 V, 3 broches


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-8022143
Fabricant:
     onsemi
N°. du fabricant:
     RFD12N06RLESM9A
EAN/GTIN:
     5059042494891
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Transistor MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. Le transistor MOSFET à tranchée UItraFET® regroupe des caractéristiques offrant une efficacité dans les tests d'applications de conversion de puissance. Le circuit est capable de résister aux pics de tension en mode avalanche, et la diode présente un temps de recouvrement inverse et une charge emmagasinée faibles. Optimisé pour efficacité à hautes fréquences, RDS(on) les plus faibles, ESR faible, et faible charge de grille totale et Miller. Les applications de convertisseurs c.c./c.c. à haute fréquence, de régulateurs à découpage, de commandes de moteur, de commutateurs de bus basse tension et de gestion d'alimentation.
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
18 A
Tension Drain Source maximum:
60 V
Type de boîtier:
DPAK (TO-252)
Série:
UltraFET
Type de montage:
CMS
Nombre de broches:
3
Résistance Drain Source maximum:
75 mΩ
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille:
1V
Dissipation de puissance maximum:
49 W
Configuration du transistor:
Simple
Tension Grille Source maximum:
-16 V, +16 V
Longueur:
6.73mm
Température d'utilisation maximum:
+175 °C
Autres mots de recherche: Transistors CMS, Transistor SMD, Transistors SMD, Transistors, Transistor, mosfet 60v, transistor cms, 8022143, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, RFD12N06RLESM9A
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Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 1295
Période:Dans les 15 jours
État de l'emballage:Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:Non utilisé
Frais de retour:A la charge du client
Frais de traitement:aucune
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Produit
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