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MOSFET onsemi canal N, DPAK (TO-252) 11 A 60 V, 3 broches

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Informations sur les produits

N° du produit:
1295E-8022159

Fabricant:
onsemi

N°. du fabricant:
RFD3055LESM9A

EAN/GTIN:
5059042611786

Mots de recherche:

Transistor à effet de champ
Transistors à effet de champ
Transistor de puissance
Transistors de puissance

Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor. Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.

Plus d'informations:


Type de canal:	N
Courant continu de Drain maximum:	11 A
Tension Drain Source maximum:	60 V
Type de boîtier:	DPAK (TO-252)
Type de montage:	CMS
Nombre de broches:	3
Résistance Drain Source maximum:	107 mΩ
Mode de canal:	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille:	1V
Dissipation de puissance maximum:	38 W
Configuration du transistor:	Simple
Tension Grille Source maximum:	-16 V, +16 V
Longueur:	6.73mm
Température d'utilisation maximum:	+175 °C
Nombre d'éléments par circuit:	1

... > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Autres mots de recherche: MOSFET, Transistor CMS, Transistors CMS, Transistor SMD, Transistors SMD, mosfet 60v, transistor à effet de champ, 8022159, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, RFD3055LESM9A

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à partir de 50 Pièces	€ 0,751*	€ 0,901	par Pièce
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à partir de 500 Pièces	€ 0,393*	€ 0,472	par Pièce
à partir de 1000 Pièces	€ 0,327*	€ 0,392	par Pièce
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Période:	Dans les 15 jours
État de l'emballage:	Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:	Non utilisé
Frais de retour:	A la charge du client
Frais de traitement:	aucune
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