Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-8063674 N°. du fabricant:
FDS8958B EAN/GTIN:
5059042078794 |
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| Transistor MOSFET à double canal N/P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. Les transistors MOSFET PowerTrench® sont des commutateurs de puissance optimisés qui offrent une augmentation du rendement du système et une forte densité de puissance. Ils combinent une charge de grille (QG) réduite, une charge de recouvrement inverse (Qrr) réduite et une diode de recouvrement inverse souple, ce qui contribue à une commutation rapide du redressement synchrone dans les alimentations c.a./c.c. Les derniers transistors MOSFET PowerTrench® emploient une structure de grille blindée offrant un équilibrage des charges. En utilisant cette technologie de pointe, le facteur de mérite de ces dispositifs est considérablement inférieur à celui de la génération précédente. Les performances de la diode de corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits Snubber ou de remplacer un MOSFET d'une tension nominale supérieure. Plus d'informations: | | Type de canal: | N, P | Courant continu de Drain maximum: | 4,5 A, 6,4 A | Tension Drain Source maximum: | 30 V | Type de boîtier: | SOIC | Série: | PowerTrench | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 8 | Résistance Drain Source maximum: | 39 mΩ, 80 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil minimale de la grille: | 1V | Dissipation de puissance maximum: | 1,6 W, 2 W | Configuration du transistor: | Isolé | Tension Grille Source maximum: | -25 V, -20 V, +20 V, +25 V | Longueur: | 4.9mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
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| Autres mots de recherche: 8063674, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, FDS8958B |
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