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IGBT, HGT1S10N120BNST, , 80 A, 1200 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Simple


Quantité:  Boîte  
Informations sur les produits
Product Image
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N° du produit:
     1295E-8076660
Fabricant:
     onsemi
N°. du fabricant:
     HGT1S10N120BNST
EAN/GTIN:
     5059042499100
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistor CMS
IGBT discrets, 1 000 V et plus, Fairchild Semiconductor
Plus d'informations:
Courant continu de Collecteur maximum:
80 A
Tension Collecteur Emetteur maximum:
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum:
±20V
Dissipation de puissance maximum:
298 W
Type de boîtier:
D2PAK (TO-263)
Type de montage:
CMS
Type de canal:
N
Nombre de broches:
3
Vitesse de découpage:
1MHz
Configuration du transistor:
Simple
Dimensions:
10.67 x 11.33 x 4.83mm
Température d'utilisation maximum:
+150 °C
Température de fonctionnement minimum:
-55 °C
Autres mots de recherche: Transistors CMS, Transistor SMD, Transistors SMD, Transistors, Transistor, transistor cms, 8076660, Semi-conducteurs, Composants discrets, IGBT, onsemi, HGT1S10N120BNST
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à partir de 100 Boîtes
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à partir de 200 Boîtes
€ 5,032*
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€ 4,182*
€ 5,0184
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Accessoires
Nous disposons des accessoires suivants dans notre gamme :
Type
Image
Produit
Fabricant/N°.
Prix HT
Accessoires
Convertisseur DC-DC Murata Power Solutions, MGJ3, Montage en surface, 3W, 3 sorties, 5 V dc, 15V c.c., 120mA
Murata
MGJ3T12150505MC-R7
à partir de € 16,275*
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