Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-8152629 N°. du fabricant:
SIHF620S-GE3 EAN/GTIN:
5059040677098 |
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| Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 5,2 A | Tension Drain Source maximum: | 200 V | Type de boîtier: | D2PAK (TO-263) | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 800 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil minimale de la grille: | 2V | Dissipation de puissance maximum: | 50 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -20 V, +20 V | Longueur: | 10.67mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C | Nombre d'éléments par circuit: | 1 |
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