Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-8152698 N°. du fabricant:
SIHFBC30AS-GE3 EAN/GTIN:
5059040764897 |
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| Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 3,6 A | Tension Drain Source maximum: | 600 V | Type de boîtier: | D2PAK (TO-263) | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 2,2 Ω | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil minimale de la grille: | 2V | Dissipation de puissance maximum: | 74 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -30 V, +30 V | Longueur: | 10.67mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C | Nombre d'éléments par circuit: | 1 |
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