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Photo diode, OSI Optoelectronics, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-52


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-8486291
Fabricant:
     OSI Optoelectronics
N°. du fabricant:
     APD10-8-150-T52
EAN/GTIN:
     5059045534549
Mots de recherche:
Diodes
Diode
Photodiode
Photodiodes
Diodes à avalanche au silicium 8-150 série APD d'OSI. La série APD 8-150 d'OSI Optoelectronics est une famille de photodiodes à avalanche au silicium optimisées pour fonctionner avec des longueurs d'onde de 800 nm. Elles sont fournies dans des boîtiers métalliques hermétiques avec des options de diamètre de zone active de 0,2, 0,5, 1 ou 1,5 mm. Les photodiodes de la série APD 8-150 offrent un faible niveau sonore et une haute sensibilité sur des largeurs de bande jusqu'à 1 GHz. Applications adaptées aux photodiodes APD 8-150 : communication par fibre optique, télémètre laser et photométrie à grande vitesse.. Caractéristiques de la série APD 8-150 : Boîtiers : TO-52 et TO-5 Faible coefficient de température : 0,45 V/°C Haute sensibilité. Niveau sonore faible. Largeur de bande élevée Température d'utilisation : -40 °C à +100 °C
Plus d'informations:
Spectres détectés:
Infrarouge
Pic de sensibilité de longueur d'onde:
800nm
Type de boîtier:
TO-52
Fonction d'amplificateur:
Non
Type de montage:
Traversant
Nombre de broches:
3
Matériau de la diode:
Si
Longueur d'onde minimum détectée:
600nm
Taille:
3.25mm
Diamètre:
5.4mm
Photosensibilité de pointe:
50A/W
Polarité:
Inverse
Autres mots de recherche: 8486291, Afficheurs et optoélectronique, Optocoupleurs et photodétecteurs, OSI Optoelectronics, APD108150T52
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