Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-8648057 N°. du fabricant:
FDD18N20LZ EAN/GTIN:
5059042660470 |
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| Transistor MOSFET à canal N UniFET™, Fairchild Semiconductor. UniFET™ MOSFET est la famille de transistors MOSFET haute tension de Fairchild Semiconductor. Elle possède la plus petite résistance à l'état passant parmi les transistors MOSFET planaires, et offre également d'excellentes performances de commutation et une plus grande résistance à l'énergie d'avalanche. En outre, la diode PESD source de matrice interne permet au transistor MOSFET UniFET-II™ de résister à des surtensions Modèle du corps humain de plus de 2 000 V. Les transistors MOSFET UniFET™ sont adaptés aux applications de convertisseurs d'alimentation à découpage, telles que la correction de facteur de puissance, l'alimentation de téléviseurs à écrans plats, les alimentations ATX (Advanced Technology eXtended) et les ballasts de lampes électroniques. Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 16 A | Tension Drain Source maximum: | 200 V | Type de boîtier: | DPAK (TO-252) | Série: | UniFET | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 130 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil minimale de la grille: | 3V | Dissipation de puissance maximum: | 89 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -20 V, +20 V | Longueur: | 6.73mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
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| Autres mots de recherche: transistors de puissance, 8648057, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, FDD18N20LZ |
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