Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-8793283 N°. du fabricant:
VP2106N3-G EAN/GTIN:
5059040119154 |
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| Transistors MOSFET canal P à mode d'enrichissement Supertex. La gamme Supertex de transistors DMOS FET (normalement éteints) à canal P et mode d'enrichissement de Microchip est adaptée à de nombreuses applications de commutation et d'amplification exigeant une faible tension de seuil, une haute tension d'isolement, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides. Plus d'informations: | | Type de canal: | P | Courant continu de Drain maximum: | 250 mA | Tension Drain Source maximum: | 60 V | Type de boîtier: | TO-92 | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 15 Ω | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 3.5V | Dissipation de puissance maximum: | 1 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -20 V, +20 V | Longueur: | 5.08mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C | Nombre d'éléments par circuit: | 1 |
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| Autres mots de recherche: transistors de puissance, 8793283, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Microchip, VP2106N3G |
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