Transistor bipolaire RF, NPN Simple, 25 mA, 13 V, SOT-343, 4 broches

Transistors bipolaires RF SiGe, Infineon. Une gamme de transistors RF bipolaires NPN large bande à très faible bruit d'Infineon. Les circuits hétéro-bipolaires utilisent la technologie de matériau au carbone-silicium-germanium (SiGe:C) d'Infineon et sont particulièrement adaptés pour les applications mobiles dans lesquelles la faible consommation est une exigence clé. Avec des fréquences de transition typiques jusqu'à 65 GHz, ces circuits offrent un haut gain de puissance à des fréquences jusqu'à 10 GHz lorsqu'ils sont utilisés dans les amplificateurs. Les transistors incluent des circuits internes pour la protection ESD et la protection de puissance d'entrée RF excessive.