Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-9064331 N°. du fabricant:
BSZ065N03LSATMA1 EAN/GTIN:
5059043837987 |
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| Famille de transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ d'Infineon. Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.. Canal N - Mode d'enrichissement Certifié AEC-Q101 automobile MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C Température d'utilisation de 175 °C Boîtier vert (sans plomb) Très faible RDS(on) Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 40 A | Tension Drain Source maximum: | 30 V | Type de boîtier: | TDSON | Série: | OptiMOS™ | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 8 | Résistance Drain Source maximum: | 8,6 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Dissipation de puissance maximum: | 26 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -20 V, +20 V | Longueur: | 3.4mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C | Nombre d'éléments par circuit: | 1 |
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| Autres mots de recherche: 9064331, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Infineon, BSZ065N03LSATMA1 |
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