Informations sur les produits |  |
| |
| N° du produit:
1295E-9194195 N°. du fabricant:
SI4946BEY-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040653580 |
| |
|
| | |
| Transistor MOSFET à double canal N, Vishay Semiconductors Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 6,5 A | Tension Drain Source maximum: | 60 V | Type de boîtier: | SOIC | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 8 | Résistance Drain Source maximum: | 52 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil minimale de la grille: | 1V | Dissipation de puissance maximum: | 3,7 W | Configuration du transistor: | Isolé | Tension Grille Source maximum: | -20 V, +20 V | Longueur: | 5mm | Température d'utilisation maximum: | +175 °C | Nombre d'éléments par circuit: | 2 |
|
| | |
| | | |
| Autres mots de recherche: transistors de puissance, 9194195, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Vishay, SI4946BEYT1GE3 |
| | |
| |