Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-9194508 N°. du fabricant:
IRFBG30PBF EAN/GTIN:
5059040649514 |
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| Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 3,1 A | Tension Drain Source maximum: | 1000 V | Type de boîtier: | TO-220AB | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 5 Ω | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil minimale de la grille: | 2V | Dissipation de puissance maximum: | 125 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -20 V, +20 V | Longueur: | 10.41mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C | Nombre d'éléments par circuit: | 1 |
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| Autres mots de recherche: 9194508, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Vishay, IRFBG30PBF |
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