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MOSFET Infineon canal N, SOT-23 1,2 A 30 V, 3 broches

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Informations sur les produits

N° du produit:
1295E-9194735

Fabricant:
Infineon

N°. du fabricant:
IRLML2803TRPBF

EAN/GTIN:
5059043006581

Mots de recherche:

Transistor à effet de champ
Transistors à effet de champ
MOSFET de puissance
Transistor de puissance

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 30 V, Infineon. La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.

Plus d'informations:


Type de canal:	N
Courant continu de Drain maximum:	1,2 A
Tension Drain Source maximum:	30 V
Type de boîtier:	SOT-23
Série:	HEXFET
Type de montage:	CMS
Nombre de broches:	3
Résistance Drain Source maximum:	250 mΩ
Mode de canal:	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille:	1V
Tension de seuil minimale de la grille:	1V
Dissipation de puissance maximum:	540 mW
Configuration du transistor:	Simple
Tension Grille Source maximum:	-20 V, +20 V
Longueur:	3.04mm

... > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Autres mots de recherche: Transistors de puissance, MOSFET, Transistor CMS, Transistors CMS, Transistor SMD, Transistors SMD, Transistors, Transistor, transistor à effet de champ, 9194735, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Infineon, IRLML2803TRPBF

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Période:	Dans les 15 jours
État de l'emballage:	Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:	Non utilisé
Frais de retour:	A la charge du client
Frais de traitement:	aucune
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