Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-9194817 N°. du fabricant:
IRF640NPBF EAN/GTIN:
5059043008622 |
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| Transistor MOSFET de puissance à canal N 150 à 600 V, Infineon. La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système. Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 18 A | Tension Drain Source maximum: | 200 V | Type de boîtier: | TO-220AB | Série: | HEXFET | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 150 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 4V | Tension de seuil minimale de la grille: | 2V | Dissipation de puissance maximum: | 150 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -20 V, +20 V | Température d'utilisation maximum: | +175 °C |
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