ONSEMI FDMA1029PZ TRANSISTOR MOSFET DOUBLE P MLP6

Tension Drain Source Vds, Canal N - Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 3.1 A MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 20 V Courant de drain continu Id, Canal N - Résistance Etat ON Drain Source, Canal N - Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.06 ohm Type de canal Canal P Dissipation de puissance Canal P - Dissipation de puissance, Canal P 1.4 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor µFET Qualification - SVHC No SVHC (27-Jun-2024)