ONSEMI FDS8949 TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SO-8

Tension Drain Source Vds, Canal N 40 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P - Courant de drain continu Id, Canal N 6 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.029 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P - Type de canal Canal N Dissipation de puissance Canal P 2 W Dissipation de puissance, Canal P - Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOIC Qualification - SVHC No SVHC (27-Jun-2024)