ONSEMI FDC6420C TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP SUPERSOT-6

Tension Drain Source Vds, Canal N 20 V Courant de drain continu Id, Canal P 3 A Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 6 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 20 V Courant de drain continu Id, Canal N 3 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.07 ohm Type de canal Complémentaire canal N et P Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.07 ohm Dissipation de puissance Canal P 960 mW Dissipation de puissance, Canal P 960 mW Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SuperSOT Qualification - SVHC No SVHC (14-Jun-2023)