ONSEMI FDC3601N TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N CMS SSOT-6

Tension Drain Source Vds, Canal N 100 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 6 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P - Courant de drain continu Id, Canal N 1 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.5 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P - Type de canal Canal N Dissipation de puissance Canal P 960 mW Dissipation de puissance, Canal P - Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SuperSOT Qualification - SVHC No SVHC (27-Jun-2024)