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ONSEMI FQB27P06TM TRANSISTOR MOSFET P


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-1611477
Fabricant:
     onsemi
N°. du fabricant:
     FQB27P06TM
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistors
Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.055 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal P Courant de drain Id 27 A Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor TO-263 (D2PAK) Tension Vds max.. 60 V Dissipation de puissance 120 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC Lead (23-Jan-2024)
Autres mots de recherche: Transistor, mosfet 60v, transistors de puissance, Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, ONSEMI, FQB27P06TM, 1611477, 161-1477
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