VISHAY SI9926CDY-T1-E3 TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NN SO-8

Tension Drain Source Vds, Canal N 20 V Courant de drain continu Id, Canal P - Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P - Courant de drain continu Id, Canal N 8 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.018 ohm Type de canal Canal N Résistance Etat ON Drain Source, Canal P - Dissipation de puissance Canal P 3.1 W Dissipation de puissance, Canal P - Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOIC Qualification - SVHC No SVHC (10-Jun-2022)