ONSEMI FDC6301N.. MOSFET, NN CH, 25V, 0.22A, SSOT6

Tension Drain Source Vds, Canal N 25 V Courant de drain continu Id, Canal P - Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 6 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P - Courant de drain continu Id, Canal N 220 mA Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 5 ohm Type de canal Canal N Résistance Etat ON Drain Source, Canal P - Dissipation de puissance Canal P 900 mW Dissipation de puissance, Canal P - Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SuperSOT Qualification - SVHC No SVHC (23-Jan-2024)