ONSEMI FDC6312P MOSFET P CH DUAL 2.3A 20V SSOT6

Tension Drain Source Vds, Canal N - Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 2.3 A MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 6 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 20 V Courant de drain continu Id, Canal N - Résistance Etat ON Drain Source, Canal N - Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.115 ohm Type de canal Canal P Dissipation de puissance Canal P - Dissipation de puissance, Canal P 960 mW Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SuperSOT Qualification - SVHC No SVHC (27-Jun-2024)